自主研发喷墨步进式纳米压印设备突破10nm压印光刻工艺

据报道，近日，我国自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，实现了多项关键突破，可支持线宽小于10nm压印光刻工艺。

设备交付信息

2025 年 8 月 1 日，璞璘科技自主设计研发的首台 PL-SR 系列喷墨步进式纳米压印设备顺利通过验收并交付至国内特色工艺客户。

关键技术突破

攻克涂胶工艺瓶颈：成功攻克喷墨涂胶工艺多项技术瓶颈，通过创新材料配方与工艺调控，提高胶滴密度与铺展度，实现了纳米级的压印膜厚，达到平均残余层＜10nm、残余层变化＜2nm、压印结构深宽比＞7:1 的技术指标。

解决模板面型控制难题：突破了纳米压印模板面型控制的技术难点，自主研发的纳米压印模板面型控制技术，解决了石英模板与硅晶圆翘曲率导致的贴合难题，确保模板和衬底完美贴合。

实现无残余层压印工艺：针对压印残余层控制的技术难点，对压印设备、材料、工艺系统进行优化，可实现无残余层压印工艺。

设备功能特点

高精度喷墨打印涂胶：采用高精度的喷墨打印式涂胶方案，还可辅助高精度的对准功能，能实现高精度拼接对准精度要求的纳米压印工艺。

满足模板拼接需求：具备拼接复杂结构的性能，最小可实现 20mm×20mm 的压印模板均匀拼接，最终可实现 300mm（12 英寸）晶圆级超大模板。

应用领域及优势

功率半导体领域：可降低成本，如新能源汽车的 IGBT 芯片，传统光刻需多次曝光叠加，单片晶圆加工成本超千元，而 PL-SR 通过一次压印即可成型，成本直接砍掉 40%。同时，生产的 IGBT 芯片击穿电压稳定性比光刻工艺提升 12%。

MEMS 传感器领域：能实现 90 度直角的 “完美雕刻”，生产的加速度传感器测量精度比传统工艺提升 20%，为无人机姿态控制、工业机器人精细操作提供更可靠的 “感官基础”。

存储芯片领域：可将单层级成本降低 30%，且层数越多优势越明显，为国内存储芯片厂商突破制程瓶颈提供了新的技术路径。